특허(출원)
반도체 소자의 제조 방법
출원번호 | 1020080113205 | 출원일 | 2008-01-01 |
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출원인 | ㈜동부하이텍 반도체부문 | 소속기관 사업자등록번호 | ***-**-**89* |
해외출원 여부 | 국내출원 | 출원/등록 국가 | 대한민국 |
우선권 주장번호 | - | 기여율 | 100 % |
등록번호 | - | 등록일 | - |
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발명자 |
곽성호
※ 과제 참여정보와 일치하는 연구자 상세정보로 정확하지 않을 수 있습니다. |
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IPC 코드 |
H01L 21/768
H01L 21/02
H01L 21/027
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CPC 코드 |
H01L 21/76838
H01L 21/76816
H01L 21/0262
H01L 21/0274
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법적상태 | 거절 | ||
요약 | 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판에 제1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 절연막 상에 제1 인덕터 및 하부 금속 라인을 포함하는 제2 절연막을 형성하는 단계, 상기 제2 절연막 상에 상기 제1 인덕터의 일부와 연결된 제1 콘택 및 상기 하부 금속 라인의 일부 연결된 제2 콘택을 포함하는 제3 절연막을 형성하는 단계, 및 상기 제3 절연막 상에 상기 제1 콘택과 연결된 제2 인덕터 및 상기 제2 콘택과 연결된 금속 패드를 동시에 형성하는 단계를 포함한다. |
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