기술요약정보
반도체 웨이퍼 접합기술을 적용한 임베디드 금속 나노입자 발광다이오드의 제조방법 (Fabrication method for light emitting diode with embedded metal nano-particles using semiconductor wafer bonding technol
등록번호 | S2012003420 | 기술 완성도 | 기술개발진행중 |
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기술의 정의, 기술내용 및 특장점 |
해당 기술은 반도체 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼 접합기술을 사용하여 p형 또는 n형 도핑 반도체층 내부에 금속 나노입자를 삽입시킨 구조의 발광다이오드를 제작하는 것을 서술한다. 금속 나노입자를 발광다이오드의 활성층으로부터 50nm 이하로 근접시킬 경우 금속입자의 국소화된 표면 플라즈몬 현상에 의해 활성층의 광 방출효율이 크게 증대될 수 있는데, 해당 기술에 의한 n형(또는 p형) 반도체 도핑층/금속 나노입자층과 p형(또는 n형) 반도체 도핑층/활성층으로 구성된 이종의 웨이퍼를 접합하는 제조 방법은 임베디드된 금속 나노입자 발광다이오드의 효과적인 제조를 가능하게 한다. 특히, 해당 기술에 의한 제조방법에서는 금속 나노입자가 반도체층 성장을 위한 높은 온도의 영향을 받지 않음으로써 원하는 구조의 금속 나노입자를 효과적으로 형성시킬 수 있을 뿐 아니라, 활성층과의 간격 조절이 용이하여 높은 효율의 임베디드 금속 나노입자 발광다이오드를 기대할 수 있다. | ||
적용분야 | 웨이퍼 | ||
적용제품(예) | - | 추가기술개발필요 여부 | 필요 |
기술이전 담당자명 | 최정훈 | 기술이전 담당자전화번호 | 032-860-7243 |
키워드 | 웨이퍼 |
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