기술요약정보
나노포러스 구조를 이용한 반도체소자 분리방법
등록번호 | S2014000333 | 기술 완성도 | 기술개발완료 |
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기술의 정의, 기술내용 및 특장점 |
해당 기술은 나노포러스 구조를 이용한 반도체소자 분리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판과 반도체소자를 분리하는 방법에 있어서, 표면 금속층이 없는 상태에서 전기화학에칭 공정을 수행하고, 그 후에 표면 금속층을 증착한 후, 웨이퍼 본딩과 리프트오프 공정을 통해 GaN 박막을 금속 웨이퍼로 전사하는 나노포러스 구조를 이용한 반도체소자 분리방법에 관한 것이다.이러한 목적을 달성하기 위한 해당 기술은 이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 해당 기술은 기판 상에 제1 n형 질화물층을 성장하는 단계; 상기 제1 n형 질화물층 상에 유전층을 성장하는 단계; 전해에칭을 통해 상기 제1 n형질화물층 내부에 나노포러스구조를 형성시키는 단계; 상기 제1 n형 질화물층 상에 제2 n형 질화물층을 재성장시켜, 상기 유전층을 포함하는 제2 n형 질화물층을 형성시키는 단계; 상기 제2 n형 질화물층 상에 멀티양자우물구조 및 p형 질화물층을 성장하고, 통전형 기판과 접합하는 단계; 및 HF 에칭을 통해 상기 유전층을 선택적으로 에칭하여 기판으로부터 반도체 소자를 분리하는 단계; 를 포함한다.상기와 같은 해당 기술에 따르면,수직형 LED 제작에 필수적인 리프트오프 공정 중에서 보다 효율적인 화학적 리프트오프공정을 제공함으로써, 기존의 레이저리프트오프공정을 대체할 수 있음은 물론이고, 고가의 장비 필요없이웨이퍼 단위의 공정을 수행할 수 있다.또한, 반도체소자의 리프트오프공정 시, 웨이퍼본딩 전까지 소자 구조에 충분한 기계적 강도를 제공하고, 웨이퍼 본딩 후에는 기판으로부터 쉽게 분리될 수 있는 구조를 형성할 수 있다. 그리고, 유전층을 격자 패턴으로 형성시키는 경우, 이를 반도체 칩(chip) 사이즈로 형성시키면, 별도의 공정추가 없이, 리프트오프 이후 바로 반도체 칩(chip)으로 사용할 수 있다. | ||
적용분야 | 반도체 소자 공정 기술 관련 분야 | ||
적용제품(예) | - | 추가기술개발필요 여부 | - |
기술이전 담당자명 | 류상완 | 기술이전 담당자전화번호 | 062-530-5019 |
키워드 | 반도체소자 리프트오프 발광다이오드 |
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