국가연구개발성과
논문 (학술지)
Cryogenic III-V and Nb electronics integrated on silicon for large-scale quantum computing platforms
| 등록번호 | - | SCI 구분
?
※구분 : SCI(SCIE포함), 비SCI |
SCI |
|---|---|---|---|
| 저자명 (주·공동저자) | 정재용 ; ※ 과제 참여정보와 일치하는 연구자 상세정보로 정확하지 않을 수 있습니다. 동일저자 논문보기 |
||
| 논문구분 | 국외전문학술지 | 학술지명 | Nature communications |
| ISSN | 2041-1723 | 학술지 출판일자 | 2024-12-31 |
| 학술지 볼륨번호 | 15(0) | 논문페이지 | 1 ~ 10 |
| 학술지 임팩트팩터 | 14.7 | 기여율 | 50 % |
| DOI | https://doi.org/10.1038/s41467-024-55077-1 | ||
| 초록 | Quantum computers now encounter the significant challenge of scalability, similar to the issue that classical computing faced previously. Recent results in high-fidelity spin qubits manufactured with a Si CMOS technology, along with demonstrations that cryogenic CMOS-based control/readout electronics can be integrated into the same chip or die, opens up an opportunity to break out the challenges of qubit size, I/O, and integrability. However, the power consumption of cryogenic CMOS-based control/readout electronics cannot support thousands or millions of qubits. Here, we show that III？V two-dimensional electron gas and Nb superconductor-based cryogenic electronics can be integrated with Si and operate at extremely low power levels, enabling the control and readout for millions of qubits. Our devices offer a unity gain cutoff frequency of 601 GHz, a unity power gain cutoff frequency of 593 GHz, and alow noise indication factor IDp g？1m？ ？of 0:21 VmmpffiffiffiffiffiS？1pat 4 K using more than10 times less power consumption than CMOS. | ||
※ 2024년 이후 논문 성과는 최종 확정된 정보가 아니며, 조사분석 확정시 기여율 등 일부 정보가 변경될 수 있습니다.
연구개발성과 등록 또는 활용에 대한 문의는 논문 연구개발성과 담당자를 통해 문의하시기 바랍니다.
[문의] 한국과학기술정보연구원 Tel : 042)716-7066, https://curation.kisti.re.kr/
- NTIS 관련 이용문의는 NTIS 콜센터(042-869-1115)로 문의하시기 바랍니다.
NTIS의 논문 정보는 국가연구개발사업 수행을 통해 발생된 성과로, 조사분석 등을 통해 입력된 정보를 수집 및 제공하고 있어, 출판사 또는 논문 정보 제공 사이트(Scienceon, RISS 등)에서 일괄 제공하는 논문 정보와 차이가 있을 수 있습니다.
