국가연구개발성과

특허(출원)
반도체 장치 및 그의 제조 방법

특허상세데이터 조회
출원번호 10-2022-0025551 출원일 2022-02-25
출원인 연세대학교 산학협력단;삼성전자주식회사 소속기관 사업자등록번호 ***-**-**50*;***-**-**00*
해외출원 여부 국내출원 출원/등록 국가 대한민국
우선권 주장번호 - 기여율 100 %
※ 2023년 이후 특허 성과는 최종 확정된 정보가 아니며, 조사분석 확정시 기여율 등 일부 정보가 변경될 수 있습니다.

기타사항

기타사항
등록번호 - 등록일 -
발명자 조만호 ; 권기현
※ 과제 참여정보와 일치하는 연구자 상세정보로 정확하지 않을 수 있습니다.
IPC 코드
H01L 29/66  H01L 29/78 
CPC 코드
H01L 29/66795  H01L 29/785 
법적상태 공개
요약 2차원 반도체 물질을 포함하는 반도체층을 형성하는 것, 상기 반도체층 상에 희생층을 형성하는 것, 상기 희생층 상에 금속 콘택층을 형성하는 것, 및 상기 희생층을 제거하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하되, 상기 희생층이 제거된 후, 상기 반도체층과 상기 금속 콘택층은 반 데르 발스(Van Der Waals) 결합을 통해 접합될 수 있다.

연구개발성과 등록 또는 활용에 대한 문의는 특허 연구개발성과 담당자를 통해 문의하시기 바랍니다.
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NTIS의 특허 정보는 국가연구개발사업 수행을 통해 발생된 성과로, 조사분석 등을 통해 입력된 정보를 수집 및 제공하고 있어, 특허정보 제공 사이트(특허청, KIPRIS 등)에서 일괄 제공하는 특허 정보와 차이가 있을 수 있습니다.

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