특허(출원)
RF 파워 기반의 플라즈마 처리를 이용한 용액공정형 다채널 IZO 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
출원번호 | 10-2021-0105038 | 출원일 | 2021-08-10 |
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출원인 | 충북대학교 산학협력단 | 소속기관 사업자등록번호 | ***-**-**30* |
해외출원 여부 | 국내출원 | 출원/등록 국가 | 대한민국 |
우선권 주장번호 | - | 기여율 | 33 % |
등록번호 | 10-2326186-0000 | 등록일 | 20211109 |
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발명자 |
김성진
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김한상
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이재윤
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선비
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구홍보
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손호주
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유수창
※ 과제 참여정보와 일치하는 연구자 상세정보로 정확하지 않을 수 있습니다. |
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IPC 코드 |
H01L 29/786
H01L 29/66
H01L 21/02
H01J 37/32
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CPC 코드 |
H01L 29/7869
H01L 29/78606
H01L 29/78618
H01L 29/78645
H01L 29/78696
H01L 29/66742
H01L 2924/0103
H01L 21/02274
H01L 21/02164
H01J 37/32174
H01L 2924/01049
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법적상태 | 등록 | ||
요약 | 본 발명은 다채널 IZO 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계, 상기 활성층에 대하여 산소 플라즈마 처리(oxygen plasma treatment) 공정을 수행하는 단계 및 상기 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 활성층을 형성하는 단계에서, 2 레이어(layers) 이상의 IZO(indium-zinc oxide) 박막이 연속하여 적층되도록 산화물 박막을 형성하고, 상기 산소 플라즈마 처리 공정을 수행하는 단계에서, RF 제너레이터와 매칭 박스를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시키고, RF 파워를 인가하는 방식으로 산소 플라즈마 처리 공정을 수행한다.본 발명에 의하면, 산소 플라즈마 처리를 통해 용액 공정형 다채널 IZO 박막 트랜지스터 소자를 제조함으로써, 전기적 성능 특성을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다. |
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