산화물 반도체 가스 센서는 작동원리가 간단하고, 저가이며, 집적화, 소형화가 가능하여 다양한 적용분야에서 많은 관심을 받고 있다[1]. 하지만 가스 센서로 사용 할 수 있는 금속 산화물은 n-type(SnO2, In2O3, WO3), p-type(NiO, CuO) 등 제한적이다. 이러한 금속 산화물 중 가스와 반응하기 전 base resistance가 매우 낮은 n-type 반도체는 소비 전력, 응답성 측면에서는 유리하나, 환원성 가스와 반응시 매우 낮은 감도를 보인다. 반대로 bases resistance 가 매우 높은 n-type 반도체 같은 경우에는 산화성 가스와 반응시 감도면에서 불리하고, 소비 전력이 많은 것으로 알려져 있다[2]. 이에 본 연구에서 동일한 물질을 이용하여 경사각 증착 방식(glancing angle deposition)으로 증착 조건을 달리하며 nanocolumn의 형상과 물성을 달리하며 base resistance를 제어하여 센서의 감도 특성을 향상시키고자 하였다. 박막으로 증착 시 전기 저항이 매우 낮은 n-type 금속 산화물인 In2O3을 e-beam evaporator를 이용하여 진공도, 증착 각도, 증착 속도를 달리하며 증착하였다. 그 결과 base resistance가 최대 320배 이상 차이가 났으며, 환원성 가스인 C2H5OH 의 감도의 경우 294배 이상 증가하였다. 이는 nanocolumn 들 사이의 potential barrier 가 켜지고 더 많은 다공성 구조를 가지기 때문이다. 이번 연구를 통하여 동일한 물질에서도 base resistance를 각각의 가스에 맞도록 최적화 할 수 있다는 것을 확인하였다.